Приемники на транзисторах


Транзисторные приемники можно изготовить довольно просто. Во многих отношениях характеристики транзисторов подобны характеристикам электронных ламп. На рис. 309 дано сравнение лампового и транзисторного усилителей, которые могут работать на высоких или на низких частотах в зависимости от частотных свойств, входных и выходных цепей. Эмиттер служит источником заряженных частиц и является как бы аналогом катода электронной лампы, но он эмиттирует не электроны, а положительные «дырки». На базу транзистора подается соответствующее смещение для управления потоком зарядов, проходящих через транзистор. Это смещение является аналогом сетки электронной лампы. Коллектор представляет собой аналог анода электронной лампы, так как он заставляет выходной ток течь через транзистор к нагрузке.
Приемники на транзисторах

В показанном транзисторе типа р—n—р требуется положительное напряжение базы относительно эмиттера и коллектора. Отрицательное смещение базы меньше напряжения на коллекторе.
Для транзистора типа n—р—n полярность напряжений обратная. Входное сопротивление транзистора мало — около 600 ом, тогда как в электронной лампе оно бывает порядка мегома. Выходное сопротивление коллектора велико.
На рис. 310, а приведена простая схема приемника, в котором используются кристаллический диодный детектор и усилитель на транзисторе типа р—n—р. Сигналы высокой частоты детектируются диодом. Конденсатор С не представляет сопротивления для высоких частот, а для токов низкой частоты сопротивление конденсатора значительно. Заряд конденсатора изменяется по огибающей модуляции. Этим изменяется смещение на транзисторе, т. е. осуществляется управление током коллектора, проходящим через головные телефоны. Полярность диода такова, что напряжение на базе всегда будет отрицательным относительно эмиттера. На рис. 310, б приведена аналогичная схема транзисторного приемника, но в ней смещение подается через сопротивление R=200 000 ом.
Приемники на транзисторах